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本发明是有关于一种制造微电子装置的方法及应用此方法的半导体装置。该制造微电子装置的方法包括以下步骤：形成多个凹陷的浅沟渠隔离特征于半导体基材中，定义半导体区于该些凹陷的浅沟渠隔离特征的相邻二者间；形成穿隧介电特征于半导体区内；形成氮化物层于...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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