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半导体结构的制造方法及半导体结构技术
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文档序号:37509405
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本公开实施例涉及半导体制造技术领域,提供半导体结构的制造方法及半导体结构,方法包括:提供基底层;在基底层上形成相互间隔的多个掩膜结构,掩膜结构包括两个第一侧墙结构和两个第二侧墙结构,两个第二侧墙结构分别位于两个第一侧墙结构中相对的两个侧壁上...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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