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本发明公开一种基于厚栅氧器件的耐高压小温漂系数带隙基准电路，属于半导体集成电路领域，包括第一PMOS管、第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容、一个修调模块和一个误差...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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