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本发明公开了一种新型终端结构的肖特基二极管的制造方法。一种新型终端结构的肖特基二极管的制造方法，生长一层相同掺杂类型的外延层；生长一层二氧化硅层；刻蚀出硅沟槽；去除全部二氧化硅层；生长一层第二二氧化硅层；生长TEOS介质层；腐蚀出后续在外延...
该专利属于江苏新顺微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏新顺微电子股份有限公司授权不得商用。

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