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具有改善的电性能的电介质层的半导体器件及其相关方法技术
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下载具有改善的电性能的电介质层的半导体器件及其相关方法的技术资料
文档序号:3749689
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一种具有改进电性能的电介质层的半导体器件及其相关方法,该半导体器件包括:下金属层、电介质层和上金属层,依次设置在半导体基板上;以及插入层,设置在电介质层与下金属层和上金属层中至少之一之间,其中电介质层包括金属氧化物膜,插入层包括金属材料膜。...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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