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本发明提供基片支承器、等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够适当地调节支承于基片支承器的基片的温度，即使在高温区域中也能够维持静电吸附。本发明的支承基片的基片支承器包括：基座；上述基座上的第一陶瓷层；和上述第一陶瓷层上的第二陶瓷层，上述第...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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