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本公开实施例提供一种半导体结构以及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基底，基底包括阵列区以及位于阵列区外围的外围区，基底的外围区具有有源部；介质层，介质层位于外围区的基底上；绝缘层，绝缘层位于阵列区的基底上；多个间隔排布的电容接触结构，...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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