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本发明涉及半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可以包括：第一导线；第二导线，设置在第一导线上而与第一导线间隔开；可变电阻层，设置在第一导线上方和第二导线下方；第一电介质层或第二电介质层中的至少一个；第一接触或第二接触中的至少一个；以及第一...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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