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本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括如下步骤：形成结构层，包括第一区域及第二区域；结构层内形成有沟道通孔，第一区域内沟道通孔的密度大于第二区域内沟道通孔的密度；于结构层内形成栅极间隙，包括第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽；第一沟槽位于第一...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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