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本发明涉及一种三维集成装置及其制造方法。所述制造方法中，利用第一载片晶圆形成晶圆级互连层，再在所述晶圆级互连层上接合设定数量的目标芯片，并通过晶圆重塑层进行晶圆重塑，进而接合第二载片晶圆以移除第一载片晶圆，在暴露的所述晶圆级互连层的第一表面...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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