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提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有单元阵列区、外围电路区、以及它们之间的边界区；栅电极，位于单元阵列区中，并位于延伸到衬底的内部的多个字线沟槽中；器件隔离层，位于衬底的外围电路区中并限定多个有源区；以及边界结构，位于边界区中，并且位于延...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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