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本发明公开了Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用。本发明具体公开了一种抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物由下述原料制得，所述的原料包括下列以重量份计的组分：80～150份的树脂A、5～20份的树脂B、5～15份的树脂C、3～1...
该专利属于上海芯刻微材料技术有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯刻微材料技术有限责任公司授权不得商用。

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