温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件的电容结构包括下电极、与下电极相对的上电极和环绕下电极和上电极的栅介质。其中，电容结构位于经过至少两次刻蚀得到的沟槽内，沟槽包括具有第一宽度的沟槽上部和具有第二宽度的沟槽下部，第一宽度小于...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。