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本发明涉及一种神经元器件，该神经元器件基于二维材料沟道层实现神经形态计算，并通过在源/漏两端与沟道层的接触区插入功函数层，使接触界面形成非对称的肖特基接触，并结合栅介质层引入的缺陷俘获和释放机制，实现了阻变特性并进一步实现了基于单器件的LI...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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