温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体存储器装置可包括第二导电类型的第一阱、第二导电类型的第三阱、第一导电类型的第二阱、浮置栅极和选择栅极。第一阱可包括第一有源区域。第三阱可包括第三有源区域。第二阱可布置在第一阱和第三阱之间。第二阱可包括第二有源区域。浮置栅极可与第一...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。