温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种三维存储器及制备方法。制备方法包括：在复合衬底上限定的第一区域内形成外围高压电路，并采用第一填充层覆盖第一区域；在复合衬底和第一填充层上形成叠层结构；去除叠层结构位于与第一区域相邻的边界区中的部分，以形成暴露出复合衬底的凹槽，...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。