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本申请提供一种三维存储器及制备方法。制备方法包括：在初始衬底上限定的第一区域内形成外围电路，并采用第一填充层覆盖第一区域；在初始衬底的、除第一区域之外的部分形成凹槽，并在凹槽内形成第一叠层结构；在第一叠层结构和外围电路上形成第二叠层结构；以...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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