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本发明为一种具可编程可抹除的单一多晶硅层非易失性存储单元及其相关阵列结构。在阵列结构的存储单元中，辅助栅极区域由至少两个平板电容器所组成，且至少两个平板电容器其中之一为多晶硅/多晶硅平板电容器，另一则为金属/多晶硅平板电容器。由于平板电容器...
该专利属于力旺电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力旺电子股份有限公司授权不得商用。

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