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本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括多个沿第一方向间隔排布的有源区和第一隔离结构；栅极结构，位于所述有源区和所述第一隔离结构中，且所述有源区的顶表面超出于所述栅极结构的顶表面；具有预...
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