温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种具有高写噪声容限的MOSFET
...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。