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本发明涉及一种深紫外AlGaN基多量子阱发光二极管，包括包括衬底、AlN本征层、N型AlGaN模板层、多量子阱有源区、AlGaN复合势垒层、P型AlGaN盖层、P型GaN欧姆接触层、N型欧姆电极、P型欧姆电极。一种深紫外AlGaN基多量子阱...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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