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本发明涉及一种改良石墨坩埚及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：含氧气氛下热处理石墨坩埚的内腔，得到所述改良石墨坩埚。本发明提供的改良石墨坩埚的内壁为孔隙结构；沿远离改良石墨坩埚中心轴的方向，所述孔隙结构的孔隙率逐渐降低。内壁最内层...
该专利属于青禾晶元（天津）半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青禾晶元（天津）半导体材料有限公司授权不得商用。

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