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本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括：提供具有位线接触区的基底；在位线接触区形成第一导电层和第二导电层。本申请通过两次沉积工艺分别形成第一导电层和第二导电层，且第一导电层中掺杂杂质的浓度小于第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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