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本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决接触结构接触电阻大的技术问题，该制备方法包括提供基底；在基底的阵列区和隔离区形成目标层；对目标层进行图形化处理，在隔离区形成第一图形；在阵列区和隔离区形成覆盖目标层和第一图形...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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