温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件，包括衬底、衬底上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的间隔开的位置处的源极图案和漏极图案、以及具有诸如过渡金属二硫属化物之类的过渡金属的沟道层。沟道层在第一绝缘层上并在源极图案和漏极图案之间延伸。还设置第二绝缘层，该第二绝缘层在沟道...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。