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提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：下纳米片；在下纳米片上的上纳米片；在基板上并提供在每个纳米片周围的栅电极；在第一栅电极和第二栅电极的第一侧的第一下源极/漏极区；在第一栅电极和第二栅电极的第二侧的第二下源极/漏极区；在第一下源极/漏极...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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