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本发明提供一种半导体装置，包含周边区块、基材、以及阵列区块。周边区块包含互补式金属氧化物半导体元件。基材设置在周边区块上，基材包含设置在周边区块上的N型掺杂多晶硅层、设置在N型掺杂多晶硅层上的氧化物层，以及设置在氧化物层上的P型掺杂多晶硅层...
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