温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供基底，包括衬底和覆盖于衬底的顶面的叠层结构，衬底包括第一有源区、存储阵列区和预设区域；去除覆盖于存储阵列区和预设区域的叠层结构，以暴露出衬底的部分顶面；形成导电层...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。