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本发明公开了一种高效的背接触P型太阳能电池结构及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。电池结构包括:采用掺镓P型硅作为衬底;衬底的背面具有N区、P区、镂空结构、正电极和负电极;衬底的正面从背面至正面依次涂覆有氧化铝和钝化层;N区从正面至背面依...该专利属于普乐新能源科技(泰兴)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过普乐新能源科技(泰兴)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种高效的背接触P型太阳能电池结构及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。电池结构包括:采用掺镓P型硅作为衬底;衬底的背面具有N区、P区、镂空结构、正电极和负电极;衬底的正面从背面至正面依次涂覆有氧化铝和钝化层;N区从正面至背面依...