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用于分解式3D结构化SoC的原子性处置制造技术
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下载用于分解式3D结构化SoC的原子性处置的技术资料
文档序号:37291031
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在进一步的实施例中,提供了片上系统集成电路(SoC),该SoC包括:有源基础管芯,包括第一缓存存储器;第一管芯,安装在有源基础管芯上并与有源基础管芯耦合;以及第二管芯,安装在有源基础管芯上并与有源基础管芯和第一管芯耦合。第一管芯包括互连组织...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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