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本申请提供了一种半导体结构及浅沟槽隔离结构制备方法。所述浅沟槽隔离结构制备方法包括：提供一衬底；于所述衬底上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层包括依次层叠的第一刻蚀阻挡层、牺牲层及第二刻蚀阻挡层；图形化所述硬掩膜层，并以图形化后的硬掩膜层为掩膜版刻...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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