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一种三维(3D)存储器装置，包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括第一衬底和设置在第一衬底上的存储器阵列结构。第二半导体结构设置在第一半导体结构之上，并且第二半导体结构包括第二衬底和与第二衬底接触的外围器件。第二衬底形成于外...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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