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一种半导体存储器装置可包括：单元衬底，其包括单元阵列区和延伸区；单元衬底上的第一模制结构；第一模制结构上的第二模制结构；穿过单元阵列区上的第一模制结构和第二模制结构的沟道结构；以及穿过延伸区上的第一模制结构和第二模制结构的单元接触结构。第一...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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