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一种装置，包括：具有适合作为至少一个集成电路的支持电路的尺寸的衬底，衬底包括定义第一和第二纵向部分的横向延伸的褶皱区域；多个导电迹线，分布在衬底的第一分布平面中，并横向穿过褶皱区域；分别在衬底的第一部分和第二部分的第二分布平面中的导电材料的...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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