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本公开涉及半导体器件及其制造方法。在一种制造半导体器件的方法中，在设置在衬底之上的第一层间电介质(ILD)层中，形成第一导电图案和位于第一导电图案之上的第二导电图案。第二导电图案接触第一导电图案。通过去除第二导电图案的一部分以暴露出第一导电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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