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本申请提供了一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括衬底及位于所述衬底上的异质结结构。所述异质结结构包括沟道层及位于所述沟道层背离所述衬底一侧的势垒层；所述沟道层的材料为Al
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