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本申请涉及一种圆片级封装结构及其制作方法。一种圆片级封装结构包括衬底层、器件层和盖帽层，器件层形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合。盖帽层形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合，以与所述衬底层围设出一用于收纳所述器...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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