圆片级封装结构及其制作方法技术

本申请涉及一种圆片级封装结构及其制作方法。一种圆片级封装结构包括衬底层、器件层和盖帽层，器件层形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合。盖帽层形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合，以与所述衬底层围设出一用于收纳所述器件层的真空腔。其中，所述衬底层的上表面设有电极，所述盖帽层上贯穿设有朝向所述电极的通孔，所述通孔内填充有互连结构，所述互连结构与所述电极电性连接。该圆片级封装结构所需的键合压力更小，成本更低，工艺更简单，稳定性更高。稳定性更高。稳定性更高。

【技术实现步骤摘要】
圆片级封装结构及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种圆片级封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]圆片级封装是直接以圆片为加工对象，同时对圆片上的多个芯片进行封装及测试，最后切割成可以直接贴装到基板或PCB上的单颗芯片，是当前封装领域的热点之一。
[0003]然而，传统的圆片级封装结构的封装成本较高。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对传统的圆片级封装结构的封装成本较高的问题，提供一种圆片级封装结构及其制作方法。
[0005]根据本申请的一个方面，提供了一种圆片级封装结构，包括：
[0006]衬底层；
[0007]器件层，形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合；以及
[0008]盖帽层，形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合，以与所述衬底层围设出一用于收纳所述器件层的真空腔；
[0009]其中，所述衬底层的上表面设有电极，所述盖帽层上贯穿设有朝向所述电极的通孔，所述通孔内填充有互连结构，所述互连结构与所述电极电性连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种圆片级封装结构，其特征在于，包括：衬底层；器件层，形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合；以及盖帽层，形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合，以与所述衬底层围设出一用于收纳所述器件层的真空腔；其中，所述衬底层的上表面设有电极，所述盖帽层上贯穿设有朝向所述电极的通孔，所述通孔内填充有互连结构，所述互连结构与所述电极电性连接。2.根据权利要求1所述的圆片级封装结构，其特征在于，所述器件层设有第一键合界面，所述衬底层上设有与所述第一键合界面相对应的第二键合界面；所述器件层和所述衬底层借助于所述第一键合界面和所述第二键合界面形成阳极键合。3.根据权利要求2所述的圆片级封装结构，其特征在于，所述衬底层上设有与所述第二键合界面相邻设置的金属层，所述第一键合界面完全覆盖于所述第二键合界面，且至少部分覆盖于所述金属层。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的圆片级封装结构，其特征在于，所述盖帽层上设有围绕于所述通孔的第三键合界面，所述衬底层上设有与所述第三键合界面相对应且围绕于所述电极的第四键合界面；所述盖帽层和所述衬底层借助于所述第三键合界面和所述第四键合界面形成阳极键合。5.根据权利要求4所述的圆片级封装结构，其特征在于，所述电极包括与所述互连结构电性连接的第一部分，以及围绕于所述第一部分的第二部分，沿所述通孔的径向方向，所述第二部分凸伸出所述通孔。6.根据权利要求5所述的圆片级封装结构，其特征在于，沿所述通孔的径向方向，所述第四键合界面的尺寸大于所述电极的所述第二部分的尺寸。7.根据权利要求1
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3任一项所述的圆片级封装结构，其特征在于，所述盖帽上设有位于所述真空腔内的吸气剂。8.根据权利要求1
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3任一项所述的圆片级封装结构，其特征在于，所述互连结构包括沿所述通孔的径向方向由外至内依次设置的绝缘层、种子层和电镀层。9.一种圆片级封装结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底层；在所述衬底层上形成器件层，并使所述器件层与所述衬底层之间形成阳极键合；在所述衬底层上形成盖帽层，并使所述盖帽层与所述衬底层之间形成阳极键合，...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮勇，尤政，郑雅欣，宋志强，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：