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一种形成半导体器件的图案的方法，包括：制备包括单元区和外部区的半导体衬底；在半导体衬底上施加光刻胶；将从极紫外(EUV)掩模反射的EUV光照射到光刻胶上；在单元区和外部区中形成光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻半导体衬底。EU...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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