温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本文提供的技术用以形成具有自对准栅极切口结构的半导体装置。在示例中，相邻半导体装置均包括在源极区域和漏极区域之间延伸的半导体区域以及在相邻半导体装置的半导体区域之上延伸的栅极层。包括电介质材料的栅极切口结构在相邻半导体装置之间中断该栅极层。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。