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一种具有堆叠晶体管架构的集成电路结构包括第一半导体主体(例如，一个或多个纳米带的集合)以及在第一半导体主体上方的第二半导体主体(例如，一个或多个纳米带的集合)。第一半导体主体和第二半导体主体是相同的鳍状物结构的部分。第一半导体主体的上表面与...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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