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本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底的表面形成电极叠层，所述电极叠层包括层叠设置的第一保护层、电极层和第二保护层；采用刻蚀工艺于所述电极叠层内形成多个间隔排布的开口；采用高密度等离子...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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