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本发明提供一种光罩、超结器件及其版图结构，版图结构包括交替排布的p型柱及n型柱，p型柱及n型柱贯穿电荷流动区、过渡区及终端区；沿第一方向上，电荷流动区的相对两侧为第一侧及第二侧，正对第一侧及第二侧的终端区为第一终端区；第一终端区还包括第一多...
该专利属于上海功成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。

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