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方法包括在衬底上形成沟道层和牺牲层的堆叠件。沟道层和牺牲层具有不同的材料组分并且在垂直方向上交替设置。方法还包括：图案化堆叠件以形成半导体鳍；在半导体鳍的侧壁上形成隔离部件；使半导体鳍凹进，从而形成源极/漏极凹槽，从而使得半导体鳍的凹进顶面...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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