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本公开涉及用于在形成半导体器件时抛光电介质层的方法。提供了在形成诸如三维(3D)存储器件的半导体器件时使用自动停止浆料抛光电介质层的方法。例如，在阶梯区域和核心阵列区域中形成堆叠结构。堆叠结构包括多个交错的第一材料层和第二材料层。交错的第一...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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