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本发明提供一种屏蔽栅功率器件及其制备方法,该屏蔽栅功率器件包括半导体层、介电层、屏蔽栅层、栅介质层、栅导电层、层间介质层、封堵层、接触孔及源极,其中,半导体层的上表层设有多个间隔设置的沟槽;介电层位于沟槽内壁及底面;屏蔽栅层位于沟槽;栅介质...该专利属于上海功成半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种屏蔽栅功率器件及其制备方法,该屏蔽栅功率器件包括半导体层、介电层、屏蔽栅层、栅介质层、栅导电层、层间介质层、封堵层、接触孔及源极,其中,半导体层的上表层设有多个间隔设置的沟槽;介电层位于沟槽内壁及底面;屏蔽栅层位于沟槽;栅介质...