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本申请涉及半导体电路设计领域，涉及一种感测放大结构和存储器架构，包括：第一PMOS管，栅极连接第二互补读出位线，源极连接第一信号端；第一NMOS管，栅极连接初始位线；第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极连接第一互补读出位线；第二PMO...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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