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提供一种半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，设置在衬底上并且沿第一方向延伸；一对源/漏极图案，设置在有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；多个沟道层，在一对源/漏极图案之间在有源图案上竖直地堆叠并且彼此间隔开；栅电极，在一对源/漏极图案...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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