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本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底、栅导电层、栅介质层、源极结构漏级结构以及有源层；栅导电层形成于衬底的顶面；栅介质层，形成于衬底的顶面且覆盖栅导电层的外表面；其中，栅介质层的凸起部分沿第一方向的相对两侧形成有源极结构...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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