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本申请涉及半导体制造量测技术领域，公开了一种半导体纳米通孔制作量测方法，包括：提供一个衬底，在衬底上形成底层基础区，底层基础区包括互连铜线和用于隔离互连铜线的介电层；在底层基础区上依次沉积扩散阻挡层、低K介质层和硬掩膜层；刻蚀硬掩膜层和低K...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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